ՀՍՀ/ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՆՅՈՒԹԵՐ

ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՆՅՈՒԹԵՐ, էլեկտրոնային սարքերի պատրաստման համար կիրառվող կիսահաղորդիչներ: Լինում են իոնային և էլեկտրոնային Կ. ն.: Իոնային Կ. ն-ում հաղորդականությունը պայմանավորված է իոններով, և էլեկտրական հոսանքի առկայության դեպքում փոխվում են նյութի կազմությունն ու կառուցվածքը: Այդ պատճառով իոնային Կ. ն. սարքերի պատրաստման համար պիտանի չեն: Էլեկտրոնային Կ. ն-ում հոսանքակիրներն էլեկտրոններն են, ուստի նրանցում էլեկտրական հոսանքը չի ուղեկցվում նյութի տեղափոխությամբ: Կ. ն. բաժանում են մի քանի հիմնական տարատեսակների՝ 1. պարզ Կ. ն., ատոմական պարզ Կ. ն. Մենդելեևի պարբերական աղյուսակի միայն 12 տարրերն են (տես աղյուսակ), որոնցից մեծ կիրառություն ունեն գերմանիումը (Ge) և սիլիցիումը (Si): Այս կիսահաղորդիչներում էլեկտրոնների շարժունությունը բավական մեծ է (սիլիցիումինը ≈1400 Չհաջողվեց վերլուծել (շարահյուսության սխալ): {\displaystyle \frac{սմ^2}{վ·վոլտ}} , գերմանիումինը՝ 3600 Չհաջողվեց վերլուծել (շարահյուսության սխալ): {\displaystyle \frac{սմ^2}{վ·վոլտ}} ): Սիլիցիումից և գերմանիումից պատրաստում են դիոդներ, տրանզիստորներ, ինտեգրալային միկրոսխեմաներ ևն: Մոլեկուլային ցանցով պարզ Կ. ն-ից մեծ կիրառություն ունեն VI խմբի տարրերը՝ ծծումբը (S), սելենը (Se) և թելուրը (Te), իսկ V խմբից՝ ֆոսֆորը (P) և արսենը (As): Սելենը, որը խոռոչային կիսահաղորդիչ է, սպեկտրալ զգայնությամբ մոտ է մարդու աչքին և ֆոտոէլեմենտներում գործածվող հիմնական նյութերից է: 2. Կ. ն. են նաև $A^x{B}^{8-x}$ տեսակի միացություններ, որտեղ A-ն X խմբի տարր է, B-ն՝ (8—X) խմբի: Այսպիսի միացություններից $A^I{B}^{VII}$ տեսակին են պատկանում AgCl, CuBr, KBr, LiF ևն նյութերը, որոնք դեռևս լայն կիրառություն չունեն: 3. $A^{III}{B}^V$ տեսակի միացությունների խմբին են պատկանում երկրորդ խմբի մետաղների սուլֆիդները, թելուրիդները, սելենիդները և օքսիդները: Այս Կ. ն. օգտագործվում են զգայուն ֆոտոդիմադրություններ, ֆոտոէլեմենտներ, տարրական մասնիկների դետեկտորներ և այլ սարքեր պատրաստելու համար: 4. AB տեսակի միացությունները կիսահաղորդչային ամենակարևոր նյութերից են: Սրանք երրորդ խմբի երկրորդ ենթախմբի տարրերի անտիմոնիդները, արսենիդները, ֆոսֆիդներն ու նիտրիդներն են: Այս նյութերի բյուրեղային ցանցն ունի տետրաէդրական փուլեր: 5. Կարևոր նշանակություն ունեն նաև AVBIV (SiC, SiGe), ABVI (PbS, PbSe, PbTe), AHBI (CuS, CuO, (Cu_{2}O)), AUBV¹ (CdSb, ZnSb) և այլ միացությունները: 6. Կիրառման մեծ հեռանկարներ ունեն ավելի բարդ՝ (A^{x}B_{1}^{8-x}) (B_{2}^{8-x}), (A_{1}^{x}{A_{2}}^{x}B^{8-x}) տեսակի միացությունները և պինդ լուծույթները (GaAsP, InGaSb, ZnCdSeTe): 7. Կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայում լայն կիրառություն ունեն հեղուկ կիսահաղորդիչները:

Խումբ \ Պարբերություն	II	III	IV	V	VI	VII	VIII
II	Be	B	C	N	O
III		Al	Si	P	S	Cl
IV		Ca	Ge	As	Se	Br
V		In	Sn	Sb	Te	J	Xe
VI			Pb	Bi	Po	At

Գրկ. Родо М., Полупроводниковые материалы, пер. с франц., М., 1971 Кристад-лохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ, М., 1973.