ՀՍՀ/ԴԻԱՄԱԳՆԻՍԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆ

ԴԻԱՄԱԳՆԻՍԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆ [<հուն. διά... - այս դեպքում՝ տարամիտում (ուժագծերի) և մագնիսականություն], մագնիսականության տեսակ, որը պայմանավորված է նյութում՝ արտաքին մագնիսական դաշտին հակառակ ուղղված մագնիսական դաշտի աոաջացմամբ: Դ. հատուկ է բոլոր նյութերին: Մագնիսական դաշտ մտցվող նյութի յուրաքանչյուր ատոմի էլեկտրոնային թաղանթում, էլեկտրամագնիսական ինդուկցիայի օրենքի համաձայն, առաջանում են մակածման շրջանային հոսանքներ, այսինքն՝ էլեկտրոնների լրացուցիչ շարժումներ մագնիսական դաշտի ուղղության շուրջը: Այդ հոսանքները յուրաքանչյուր ատոմում առաջացնում են մակածված մագնիսական մոմենտ, որը, Լենցի կանոնի համաձայն, հակառակ է ուղղված արտաքին մագնիսական դաշտին: Ընդ որում, երևույթը պայմանավորված չէ ատոմների նախնական սեփական մագնիսական մոմենտների առկայությամբ և կողմնորոշմամբ: Նյութում Դ-յան ընթացքը այս կամ այն չափով կարող է արգելակվել էլեկտրոնային կամ միջուկային պարամագնիսականությամբ, ֆեռոմագնիսականությամբ կամ հակաֆեռոմագնիսականությամբ: Կաղապար:Լայն ատոմների էլեկտրոնային թաղանթները մոմենտներով չեն օժտված: Նման ատոմներում առանձին էլեկտրոնների ստեղծած մագնիսական մոմենտները, արտաքին մագնիսական դաշտի բացակայության դեպքում փոխհավասարակշռված են: Այս երևույթն առկա է այն ատոմներում, մոլեկուլներում և իոններում, որոնց էլեկտրոնային թաղանթները լրացված են (օրինակ, իներտ գազերի ատոմները, ջրածնի, ազոտի մոլեկուլները):

Դիամագնիսական նյութի 1 մոլի ձեռք բերած մակածման մագնիսական I մոմենտը համեմատական է արտաքին դաշտի Н լարվածությանը՝ I = χH: χ-ն՝ Կաղապար:Լայն, բացասական մեծություն է, քանի որ I-ն և H-ը ունեն հակառակ ուղղություն: Սովորաբար χ-ի բացարձակ մեծությունը չի անցնում ~10^-6-ից, օրինակ, հելիումի 1 մոլի համար χ = -1,9 · 10^-6: Դ. առաջացնող հոսանքները մեկուսացված ատոմներում առավել պարզ բնույթի են: Մեկուսացված ատոմի էլեկտրոնների ողջ համախմբությունը արտաքին դաշտի ազդեցության տակ միաժամանակ սկսում է պտտվել ատոմի կենտրոնով անցնող, H լարվածության ուղղությանը զուգահեռ առանցքի շուրջը: Ատոմի բոլոր էլեկտրոնների այդ համատեղ պտույտը կոչվում է Կաղապար:Լայն: Մեկուսացված ատոմի դիամագնիսական ընկալունակության մեջ յուրաքանչյուր էլեկտրոնի ներդրումը որոշվում է

${\chi }_i=-\frac{e^2\overline{r^2}}{6m{c}^2}$ (1)

բանաձևով: e-ն էլեկտրոնի լիցքն է, $\overline{r^2}$-ին՝ էլեկտրոն-միջուկ հեռավորության քառակուսային միջինը, m-ը՝ էլեկտրոնի հանգստի զանգվածը, c-ն՝ լույսի արագությունը վակուումում (1)-ից երևում է, որ նյութի դիամագնիսական ընկալունակության մեջ առավել մեծ «ներդրում» ունեն միջուկներից ավելի հեռու գտնվող էլեկտրոնները։ (1)-ով տեսականորեն հնարավոր է հաշվել մեկուսացված ատոմների (օրինակ, նյութի 1 մոլի կամ 1 սմ³-ի) համախմբության դիամագնիսական ընկալունակությունը, եթե հայտնի են էլեկտրոնների թիվն ատոմում և դրանց տարածական բաշխումը: Ոչ բարձր ջերմաստիճաններում ատոմների ջերմային շարժումը ազդում է էլեկտրոնների շարժման վրա: Այդ պատճառով Դ. գործնականում անկախ է ջերմաստիճանից: Եթե ատոմները մեկուսացված չեն և փոխազդեցությունն էլ մեծ է (օրինակ, հեղուկներում և պինդ մարմիններում), ապա էլեկտրոնային թաղանթները ձևափոխվում են, և առաջացած Դ. հաճախ ավելի փոքր է լինում, քան մեկուսացված ատոմներինը: Մետաղներում և կիսահաղորդիչներում ատոմի վալենտական էլեկտրոնների մի մասը կարող է անցնել մեկ ատոմից մյուսին: Այդ «ազատ» էլեկտրոնների թիվը մեծ է մետաղներում և կախված չէ ջերմաստիճանից, իսկ կիսահաղորդիչներում ցածր ջերմաստիճաններում համեմատաբար ավելի փոքր է և արագ աճում է ջերմաստիճանի բարձրացմանը զուգընթաց: Արտաքին մագնիսական դաշտի ազդեցության տակ ազատ էլեկտրոնները շարժվում են պարուրաձև քվանտացված ուղեծրերով՝ առաջացնելով ոչ մեծ Դ. (Կաղապար:Լայն): Քննարկված բոլոր դեպքերում դիամագնիսական ընկալունակության կախումը թույլ է մագնիսական դաշտի լարվածությունից: Բացարձակ արժեքով ավելի մեծ դիամագնիսական ընկալունակությամբ են օժտված գերհաղորդիչները: Դրանց $\chi =\frac{1}{4}\pi \approx -8\cdot 10^{-1}$, իսկ մագնիսական ինդուկցիան՝ զրոյի, այսինքն՝ մագնիսական դաշտը չի ներթափանցում գերհադորդիչ: Վերջիններիս Դ. պայմանավորված է ոչ թե ներատոմային, այլ մակրոսկոպիկ մակերևութային հոսանքներով:

Գրկ. Կաղապար:Լայն С. В., Магнетизм, М., 1971.